UWB關鍵技術探索(3-2)

利用並聯回授/串聯峰突電感　寬頻低雜訊放大器成形

作者： 呂學士 / 陳憲穀
2008 年 08 月 25 日
利用並聯回授及串聯峰突電感(Peaking Inductor)的寬頻低雜訊放大器，電路同時具有寬頻輸入匹配、寬頻功率增益及平坦的雜訊指數響應。寬頻低雜訊放大器利用互補式金屬氧化半導體0.18微米製程製作，量測結果顯示，電路在2G～11.5GHz的頻寬裡具有大於10dB的功率增益，輸入匹配達到-10dB，而線性度具有3dB的IIP3量測結果。此寬頻低雜訊放大器最重要的雜訊指數在頻寬內亦具有3.1～4.15dB的表現。
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